蝕刻方法以及蝕刻液的定量分析方法

技術領域

  本發明涉及金屬蝕刻方法，更詳細說，涉及在半導體器件基板或 液晶元件基板等的基板制造工序等中，為了對金屬（層）形成微細電 極或金屬配線而使用感光性樹脂等的微細蝕刻工序中適用的蝕刻方 法。此外，本發明涉及上述蝕刻液的定量分析方法以及從上述蝕刻液 中回收磷酸的方法。
背景技術

    近年來，在半導體器件基板或液晶元件基板上對隨附在這些器 件•元件上的配線或電極等的微小化、高性能化的要求變得更加嚴格。
對于這樣的要求，取代傳統使用的CrMo等鉻（Cr)合金配線材 料，討論適于微細蝕刻加工的、能承受設備電氣需要增加的低電阻材 料。例如，現在，提出由鋁（A1)、銀、銅等形成的新材料作為配線材 料使用，也討論由這樣的新材料產生的微細加工。而且，在這些新材 料的蝕刻中通常使用含有硝酸、磷酸以及醋酸的蝕刻液。

    在使用鋁作為被蝕刻金屬時，為了使鋁離子化而除去，有必要使 之從0價到3價，與銀（1價）或銅（2價）相比，蝕刻液中酸的耗費 量大，由于急劇地產生蝕刻速度的降低，所以存在所謂蝕刻速度控制 難的問題。因此，在浸漬法等的成批處理過程中，一旦蝕刻液的蝕刻 速度低于特定值，則即使蝕刻液殘留大部分的蝕刻能力，通常也全量 廢棄，替換新的蝕刻液，存在所謂蝕刻液的使用量及廢棄量多的問題。